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世界半导体极简编年史

回顾曾经那些推动全球半导体发展的技术和事件。

1833年：第一次有记录的半导体效应

迈克尔·法拉第（Michael Faraday）发现了硫化银晶体中电导率随温度升高而增加的“特殊情况”。这与在铜和其他金属中观察到的情况相反。

图：法拉第

1874年：发现半导体点接触式整流器效应

第一个半导体二极管书面说明，费迪南德·布劳恩（Ferdinand Braun）指出，在金属点与方铅矿晶体接触处，电流只朝一个方向自由流动。

1901年：半导体整流器获得“晶体管触须（CAT'S WHISKER）”探测器专利

无线电先驱、印度加尔各答***物理学教授Jagadis Chandra Bose申请了检测无线电波的半导体晶体整流器的专利。

图：Jagadis Chandra Bose

1926年：场效应半导体器件申请专利

Julius Lilienfeld申请了一项专利，描述了一种基于硫化铜半导体特性的三电极放大装置。直到1930年代，人们一直在尝试制造这种设备。

图：Julius E. Lilienfeld

1931年:《电子半导体理论》出版

艾伦·威尔逊（Alan Wilson）用量子力学来解释半导体的基本特性。七年后，鲍里斯?达维多夫(苏联)、内维尔?莫某某(英国)和沃尔特?肖特基(德国)都对半导体进行了理论解释。

图：在剑桥的Alan Wilson

1940年:发现P-N结

Russell Ohl发现了硅中的P-N结和光伏效应，从而促进了结晶体管和太阳能电池的发展。



图：在贝尔实验室的Russell Ohl

1941年，半导体二极管整流器用于二战

开发出用于战时雷达微波探测器的高纯度锗和硅晶体的生产技术。

图：卡尔·拉克·霍洛维兹（Karl Lark-Horowitz）（右）和西摩·本泽（Seymour Benzer），约1942年在普渡大学

1947年：点接触晶体管的发明

1947年12月，约翰·巴丁（John Bardeen）和沃尔特·布拉顿（Walter Brattain）在锗点接触器件中实现了晶体管作用。



1948年：欧洲晶体管的发明

Herbert Mataré和Heinrich Welker在法国发明了锗点接触晶体管。

图：Herbert Mataré

1948年：结型晶体管的构想

威廉·肖克利（William Shockley）基于对P-N结效应的理论理解，构想了一种改进的晶体管结构。



图：威廉·肖克利（William Shockley）描述结晶体管理论

1951年: 发明区域熔炼

William Pfann和Henry Theurer开发了用于生产超纯半导体材料的区域熔炼技术。

图：William Pfann和Jack Scaff使用早期区熔精炼设备

1951年：第一个制造的生长结晶体管

戈登·蒂尔（Gordon Teal）生长出了大型锗单晶，并与摩根·斯帕克斯（Morgan Sparks）合作制造了一个N-P-N结晶体管。



图：1951年戈登·蒂尔（Gordon K. Teal）（左）和贝尔实验室的摩根·史某某（Morgan Sparks）

1952年：晶体管消费品出现

半导体开始出现在电池供电的助听器和袖珍收音机中，消费者愿意为便携性和低功耗支付高价。

图：Sonotone 1010助听器使用了一个晶体管和两个电子管

1952年：贝尔实验室授权晶体管技术

贝尔实验室的 内容过长，仅展示头部和尾部部分文字预览，全文请查看图片预览。 显示器（LCD）数字手表是将完整的电子系统集成到称为系统级芯片（SOC）的单个硅芯片上的第一款产品。



图：汉密尔顿Pulsar数字手表的电子模块

1978年：用户可编程逻辑器件的诞生

单片存***的John Birkner and H. T. Chua开发了易于使用的可编程阵列逻辑（PAL）器件和工具，用于快速原型化定制逻辑功能。



图：80年代中期的H. T. Chua和John Birkner

1979年：推出了单芯片数字信号处理器

贝尔实验室的单芯片DSP-1数字信号处理器设备架构针对电子开关系统进行了优化。



图：贝尔实验室的DSP-1器件版本

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