MM54HC02 / MM74HC02四2-Input 或非门 一般说明
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MM54HC02 / MM74HC02四2-Input 或非门
一般说明
特性
这些NOR门利用先进的硅门CMOS技术nology来实现类似于LS-TTL门的运行速度具有低功耗的标准CMOS集成电路。所有门都有缓冲输出，提供高抗噪性和驱动10个LS-TTL负载的能力。54HC/74HC逻辑家族功能以及引脚与标准54LS/74LS逻辑家族兼容。所有的输入保护，从静态dis电荷内部二极管箝位到VCC和接地。
典型传输延迟:8 ns
电源范围宽:2 -6V
低静态电源电流:最大20毫安(74 hc系列)
低输入电流:最大1ma
高输出电流:最小4ma
连接与逻辑图
双列直插式封装
俯视图
订单号MM54HC02或MM74HC02
绝对最高额定值(注1及2) 工作条件
如果需要军用/航空航天指定的器件，请与国家半导体销售办
公室/分销商联系，以获得可用性和规格。 最小 最大 单位
电源电压(VCC) -0.5 to +7.0V 电源电压(VCC) 2 6 V
直流输入电压(VIN) -1.5 to VCC+1.5V 直流输入输出电压 0 Vcc V
直流输出电压(VOUT) -0.5 to VCC+0.5V (Vin, Vout)
箝位二极管电流(IIK, IOK) ±20 mA 工作温度范围(TA)
每引脚直流输出电流(IOUT) ±25 mA MM74HC -40 +85 ℃
每引脚直流电压cc或GND电流(ICC) ±50 mA MM54HC -55 +1 内容过长，仅展示头部和尾部部分文字预览，全文请查看图片预览。 0.26
0.26
0.33
0.33
0.4
0.4
V
V
IIN
最大输入电流
VIN=VCC or GND
6.0V
±0.1
±1.0
±1.0
μA
ICC
最大静态电源电流
VIN=VCC or GND
|OUT|=0 μA
6.0V
2.0
20
40
μA
注1:绝对最大额定值是指超过该额定值，设备就可能发生损坏。
注2:除非另有规定，所有电压均参照接地。
注3:功率耗散温度降额--塑料“N”封装：-12 mW/℃ 从 65℃ 到 85℃; 陶瓷“J”封装：-12 mW/℃从100℃到125℃
注4:对于5V g10%的电源，HC在4.5V时出现最坏情况的输出电压(VOH和VOL)。因此，在设计此电源时应使用4.5V值。最坏情况VIH和VIL分别出现在VCCe5.5V和4.5V。(5.5V时的VIH值为3.85V)最坏情况下漏电流(IIN，在较高的电压下，CMOS会出现ICC和IOZ)，因此应该使用6.0V值。**VIL限制目前测试在20%的VCC。上述VIL规范(VCC的30%)将不迟于CY ' 89 Q1实现。
交流电气特性VCC=5V, TA=25℃, CL=15 pF, tr=tf=6 ns
符号
参数
条件
电流
保证限制
单位
tPHL,tPLH
最大传输延迟
8
15
ns
交流电气特性VCC=2.0V到6.0V, CL=50 pF, tr=tf=6 ns（除非有特别说明）
符号
参数
条件
VCC
TA=25℃
74HC
TA=-40 to 85℃
54HC
TA=-55 to 125℃
单位
Typ
保证界限
tPHL,tPLH
最大传输延迟
2.0V
4.5V
6.0V
45
9
8
90
18
15
113
23
19
134
27
23
ns
ns
ns
tTLH,tTHL
最大输出上升和下降时间
2.0V
4.5V
6.0V
30
8
7
75
15
13
95
19
16
110
22
19
ns
ns
ns
CPD
功率耗散电容(注5)
（每门）
20
pF
CIN
最大输入电容
5
10
10
10
pF
注5:CPD决定空载动态功耗，PD=CPD VCC2f+ICC VCC以及空载动态电流消耗,IS=CPD VCCf+ICC
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