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一、基础理论

PN结

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多子：扩散运动，浓度

少子：漂移运动，电场

二者动态平衡，中间形成PN结（阻挡层，势垒，空间电荷区）

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正向电压-削弱PN结-促进多子运动

逆向电压-增强PN结-促进少子运动

1、负电阻温度效应

温度升高，载流子浓度升高，电阻率下降

2、光电导效应—半导体材料的“体”效应

光照射到半导体上，能量高于禁 内容过长，仅展示头部和尾部部分文字预览，全文请查看图片预览。 同（3太阳能-硅发电，存在豫迟效应）

4、霍尔效应

二、元素

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直接—

1、电子空穴对复合发光：光吸收的逆过程

导带电子跃迁到价带

2、

直接带隙

间接带隙



电子空穴对复合发光







需要释放或吸收声子（即晶格振动



更容易跃迁





发光效率很高，非常适合做光电器件











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7. -学年度*_**测试题-71d806bb***81f74b6abb4d278b
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10. 委员单位初步名单

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