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华中科技大学电信系 张林1 iB=f(vBE)? vCE=const(2)当vCE=0V时，集电结正偏，无收集载流子能力， IB相对较大。(1) 类似发射结的正向伏安特性曲线。1. 输入特性曲线（以共射极放大电路为例）4.1.3 BJT的I－V 特性曲线(3) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE>0，集电结已进入反偏状态，收集载流子能力增强，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。华中科技大学电信系 张林2(3) 输入特性曲线的三个部分①死区 ②非线性区③线性区 1. 输入特性曲线4.1.3 BJT的I－V 特性曲线华中科技大学电信系 张林34.1.3 BJT的I－V 特性曲线2. 输出特性曲线vCE= vCB + vBEvCE= 0V时，集电结正偏，无收集载流子能力华中科技大学电信系 张林4饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。iC=f(vCE)? iB=const2. 输出特性曲线输出特性曲线的三个区域:截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， vBE小于死区电压。放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。4.1.3 BJT的I－V 特性曲线华中科技大学电信系 张林51. 电流放大系数 4.1.4 BJT的主要参数华中科技大学电信系 张林61. 电流放大系数 (2) 共发射极交流电流放大系数?

? =?IC/?IB?vCE=const4.1.4 BJT的主要参数华中科技大学电信系 张林7 (4) 共基极交流电流放大系数α

α=?IC/?IE? VCB=const1. 电流放大系数 4.1.4 BJT的主要参数华中科技大学电信系 张林8 2. 极间反向电流 (1) 集电极基极间反向饱和电流ICBO

发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 4.1.4 BJT的主要参数华中科技大学电信系 张林9 (2) 集电极发射极间的反向饱

和电流ICEO 2. 极间反向电流4.1.4 BJT的主要参数华中科技大学电信系 张林10(1) 集电极最大允许电流ICM(2) 集电 内容过长，仅展示头部和尾部部分文字预览，全文请查看图片预览。 由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。4.1.4 BJT的主要参数输出特性曲线上的过损耗区和击穿区过流区击穿区华中科技大学电信系 张林131. 既然BJT具有两个PN结，可否用两个二极管相串联以构成一只BJT，试说明其理由。？思 考 题2. 能否将BJT的e、c两个电极交换使用，为什么？end3. 放大电路输出端增加的能量是从哪里来的？[文章尾部最后300字内容到此结束,中间部分内容请查看底下的图片预览]

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