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题 目： 单步工艺仿真验证及PN结仿真验证

课程名称： 半导体工艺实验

学 院： 大数据与信息***

专 业： 电子科学与技术

姓 名： 汪某某

学 号： ***76

指导教师： 杨某某

2022年 1 月 3 日

目录

一 实验目的 3

二 实验内容 3

三 实验材料 3

四 实验步骤 3

五 仿真过程及程序 4

1 第一网格和衬底初始化 4

2 干氧氧化及加光刻胶 4

3 刻蚀 5

4 离子注入 6

5 沉积铝 7

6 刻蚀铝电极和除去多余的光刻胶 8

六 实验结果 8

七 仿真代码 10

一 实验目的

实验一：熟悉silvaco软件及基础操作；

实验二：了解并应用PN结（二极管）的制造工艺。

二 实验内容

?实验一：单步工艺仿真验证；

实验二：器件PN结（二极管）的仿真验证

三 实验材料

Silvaco

TonyPlot

四 实验步骤

1、定义网格（为计算划分微元）

2、仿真初始化，定义以硼掺杂的P型硅衬底。

3、场氧化。根据x=

A

2

1+

t+

t

′

A

2

/4B

?1

，得在1200摄氏度下干氧23小时可的1微米厚的二氧化硅外延层。

4、淀积多晶硅

5、栅注入阻挡层生长

6、刻蚀源区和漏区

7、对源漏区进行磷掺杂

8、刻蚀栅极

9、淀积金属铝

10、光刻金属电极

11、定义电极

12、结构操作

13、tonyplot显示

五 仿真过程及程序

1 第一网格和衬底初始化

go athena

#设置网格

line x loc=0.00 spac=0.1

line x loc=10.000 spac=0.5

line y loc=0.00 spac=0.1

line y loc=10.00 spac=0.5

# 设置衬底

init silicon c.carbon=1.0e12 orientation=110 two.d

2 干氧氧化及加光刻胶

#干氧氧化

diffus time=30 minutes temp=1000 dryo2/

#加光刻胶

deposit photoresist thick=1.0

/

3刻蚀

#去中间刻蚀区光刻胶

etch photoresist star x=4.0 y=-1.5

etch con x=4 y=0.0

etch con x=5 y=0.0

etch don x=5 y=-1.5

#去中间刻蚀区二氧化硅

etch oxide star x=4.0 y=0.0

etch con x=4 y=0.1

etch con x=5 y=0.1

etch don x=5 y=0.0

/

4 离子注入

#离子注入

implant phosphor dose=1.0e11 energy=100 tilt=7 rotation=0 crystal

#干氧氧化

diffus time=30 minutes t 内容过长，仅展示头部和尾部部分文字预览，全文请查看图片预览。 x=3.4 y=-0.13

#去右侧光刻胶

etch photoresist star x=5.6 y=-0.25

etch con x=5.60 y=-0.12

etch con x=10 y=-0.12

etch don x=10 y=-0.25

#去右侧铝电极

etch aluminum star x=5.6 y=-0.13

etch con x=5.6 y=0.1

etch con x=10 y=0.1

etch don x=10 y=-0.13

#除去多余的光刻胶

strip photoresist

#导出str文件

structure outfile=F.str

quit

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