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场效应管Field Effect Transistor场效应管特点是利用输入回路的电场效应控制输出回路的电流的一种半导体器件

仅靠半导体中的多数载流子导电（单极型晶体管）

输入阻抗高（107-1012Ω），噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强，功耗小场效应管分类FETJFET

结型MOSFET

绝缘栅型N沟道P沟道增强型耗尽型结型JEFT利用半导体 内容过长，仅展示头部和尾部部分文字预览，全文请查看图片预览。 地减少，对某VGS值ID?=0，将此时的VGS称为门极_源极间遮断电压或者截止电压。MOSFET根据Vgs=0时受否有导电沟道分为：

N沟道增强型

N沟道耗尽型

P沟道增强型

P沟道耗尽型各种结构的FET均有门极、源极、漏极3个端子JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流的大小。而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面的感生电荷的多少，从而控制栅源极电流的大小。MOSFET的基本特性转移特性曲线输出特性曲线[文章尾部最后300字内容到此结束,中间部分内容请查看底下的图片预览]请点击下方选择您需要的文档下载。

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