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《电气开关》　 (2002 N o. 2) 1 文章编号: 1004—289X (2002) 02- 0001- 03 功率场效应管驱动电路的研究 刘某某 (湖南***, 湖南　XX　411101) 摘　要: 探讨了功率场效用管 (M O SFET ) 的栅极驱动问题, 总结了三种在实际中很有应用价值的栅极驱动 电路。 关键词: 功率场效应管; 栅极驱动 中图分类号: TN 386　　　　　文献标识码: B Inve st iga t ion on Pow e r M O SF F T ′s Ga te D riving C ircu it L IU X ing - p ing (H unan In st itu te of Eng inee ring, X iang tan H unan 411101 Ch ina) A b st ract: T h is p ap er investiga tes the question on ga te d riving of pow er M O SFET , summ a rizes th ree sp ecies ga te d riving circu it s, w h ich a re va luab le in p ract ice. Key w o rd s: pow e r M O SFET; ga te d riving 1　前言 功率场控制器件泛指一切用电压信号控制工作电 流的电力电子器件。 这类器件的基本特点是输入阻抗 极高, 因而所需驱动功率很小, 而且大多数器件在控制 信号撤除之后即会自行关断, 是一种高性能的自关断 器件。 与各种双极型电力电子器件相比, 功率M O S2 FET 从原理到性能都有很多独特之处。在电力电子电 路中充分利用和发挥这些特长, 可把电力电子技术推 入一个新的阶段。 功率M O SFET 在线性放大和功率 开关等方面的应用正在向深度和广度迅速发展, 各种 新颖电路不断问世。 这里仅就栅极驱动方面的问题进 行探讨。 是有限的, 如果实际的电压数值超过元件的额定值, 则 就会被击穿, 产生永久性的损坏。实际的栅—源电压最 大值在 20～ 30V 之间。 值得指出的是, 即使实际电压 为 20V , 仍然要细致分析一下是否会出现由于寄生电 感引起的电压快速上升的尖峰, 引起击穿M O SFET 的硅氧化层问题。 2　关于驱动电路的有关问题 图 1　M O SFET 工作在共源极的电路图 　　M O SFET 管工作在高频时, 为了防止振荡, 有两 点必须注意: 第一, 尽可能减少M O SFET 各端点的连 接线长度, 特别是栅极引线, 如果无法使引线缩短, 则 可按图 1 所示, 靠近栅极处串联一个小电阻以便控制 寄生振荡; 第二, 由于M O SFET 的输入阻抗高, 驱动 电源的阻抗必须比较低, 以避免正反馈所引起的振荡, 特别是M O SFET 的直流输入阻抗非常高, 但它的交 流输入阻抗是随频率而改变的, 因此M O SFET 的驱 动波形的上升和下降时间与驱动脉冲发生器阻抗有 图 2　用 T TL 驱动功率场效应管的电路图 3　实用的驱动电路 关。 3. 1　直接驱动式 另外,M O SFET 的栅—源极间的硅氧化层的耐压 比较简单又比较可靠的驱动方式是使用集电极开 © 1995-2004 Tsinghua Tongfang Optical Disc Co., Ltd. All rights re 内容过长，仅展示头部和尾部部分文字预览，全文请查看图片预览。 过窄时, Im 不能充分上升。 这第二 个问题可以用图 5 所示的电路来克服, 从而使关某某 程的驱动得以改善。 4　结束语 本文所述的三种类型的栅极驱动电路在实践中是 很有应用价值的电路, 在使用时可根据M O SFET 所 控制的功率情况来选择不同的驱动电路, 小功率的 M O SFET 管可以用直接驱动, 功率较大的M O SFET 管可以使用图 3 (b) 及图 4、图 5、图 6 所示的电路。 收稿日期: 2002- 01- 04 © 1995-2004 Tsinghua Tongfang Optical Disc Co., Ltd. All rights reserved. [文章尾部最后300字内容到此结束,中间部分内容请查看底下的图片预览]请点击下方选择您需要的文档下载。

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